特許
J-GLOBAL ID：200903015257501461

薄膜トランジスタ基板と液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法

発明者：
蔡 基成

蔡 基成 について


出願人/特許権者：
株式会社フロンテック

株式会社フロンテック について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040814
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ソース電極およびドレイン電極と半導体能動膜を低抵抗シリコン化合物膜を介して接続し、それらの電気的接続を良好にすることでオン電流を高くするとともに、半導体能動膜とオーミックコンタクト膜との電気的接続を良好にしてオフ電流を少なくした技術の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、基板36上にゲート電極40とゲート絶縁膜41が設けられ、ゲート電極上方にゲート絶縁膜を介して半導体能動膜42が対向して設けられ、半導体能動膜上に一対のオーミックコンタクト膜43、44が隔離して設けられ、各オーミックコンタクト膜及び該オーミックコンタクト膜と重畳する半導体能動膜部分を覆うようオーミックコンタクト膜から前記ゲート絶縁膜に至る低抵抗シリコン化合物膜45、47が設けられ、ソース電極46とドレイン電極48とが低抵抗シリコン化合物膜上に設けられていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極が設けられ、該ゲート電極を覆って前記基板上にゲート絶縁膜が設けられ、前記ゲート電極上方に前記ゲート絶縁膜を介して半導体能動膜が対向して設けられ、該半導体能動膜上に一対のオーミックコンタクト膜が隔離して設けられ、それぞれのオーミックコンタクト膜及び該オーミックコンタクト膜と重畳する半導体能動膜部分を覆うようオーミックコンタクト膜から前記ゲート絶縁膜に至る低抵抗シリコン化合物膜が設けられ、ソース電極とドレイン電極とが前記低抵抗シリコン化合物膜上に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500
FI (2件)：
H01L 29/78 616 U ,  G02F 1/136 500
引用特許：
審査官引用 (5件)
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