特許
J-GLOBAL ID：200903015267016456

半導体スタック

発明者：
米田 良忠

米田 良忠 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236677
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧スイッチング素子を使用した半導体スタックの配線構造の簡素化,絶縁性能及び組立性の改善。【解決手段】 第1及び第2スイッチング素子1,2の各主電極面S1,S2上に搭載された側壁3aやリブ3bを有する底部絶縁体3上に、その一端部が垂直方向に折り曲げられて交流端子Lを形成する交流導体4と、内部絶縁体5と、断面形状がL字型の第1及び第2フレクシブル絶縁体6,7と、垂直方向に折り曲げられた上で更に水平方向に折り曲げられてコの字型の断面形状を有するP側及びN側導体8,9とを順次に積層して組み立てる。
請求項（抜粋）：
第1及び第2スイッチング素子をヒートシンク上に取り付けた上で前記第1及び第2スイッチング素子を互いに直列接続してハーフブリッジを構成する半導体スタックであって、前記第1スイッチング素子の第1電極端子面及び第2電極端子面上と、前記第1スイッチング素子の前記第1電極端子面に隣り合った前記第2スイッチング素子の第1電極端子面上とに、底部絶縁体、交流導体及び内部絶縁体が順次に積層され、前記内部絶縁体の表面中で前記第1スイッチング素子側の部分上に第1フレクシブル絶縁体及びP側導体が順次に積層され、前記内部絶縁体の前記表面中で前記第2スイッチング素子側の部分上に第2フレクシブル絶縁体及びN側導体が順次に積層されており、前記第1フレクシブル絶縁体と、その下の前記内部絶縁体、前記交流導体及び前記底部絶縁体とを貫通して前記第1スイッチング素子の前記第1電極端子面と接触し、且つ前記交流導体とは絶縁された導体スペーサを介して、前記P側導体の一方の端部は前記第1スイッチング素子の第1電極端子に接続され、前記交流導体の一方の端部側の部分に設けられた第1凸部はその下の前記底部絶縁体を貫通して前記第1スイッチング素子の前記第2電極端子面と接触しており、前記交流導体の他方の端部に設けられた第2凸部はその下の前記底部絶縁体を貫通して前記第2スイッチング素子の前記第1電極端子面と接触しており、前記N側導体の一方の端部は前記内部絶縁体の端面を越えて前記第2スイッチング素子の第2電極端子面へ向けて延びており、前記第2スイッチング素子の前記第2電極端子面に接触したN側導体用導電スペーサを介して、前記N側導体の前記一方の端部は前記第2スイッチング素子の第2電極端子に接続されていると共に、前記P側導体と前記N側導体との間は、前記第1スイッチング素子の前記第1及び第2電極端子面に対して垂直方向に延びた前記第1フレクシブル絶縁体の一方の端部と、前記第2スイッチング素子の前記第1及び第2電極端子面に対して垂直方向に且つ前記第1フレクシブル絶縁体の前記一方の端部と平行に延びた前記第2フレクシブル絶縁体の一方の端部とによって、絶縁されていることを特徴とする、半導体スタック。
IPC (3件)：
H02M 7/5387 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/04
FI (3件)：
H02M 7/5387 Z ,  H02M 1/00 J ,  H02M 7/04 D
Fターム (27件)：
5H006AA05 ,  5H006CA01 ,  5H006CA07 ,  5H006CA12 ,  5H006CA13 ,  5H006CB00 ,  5H006CC02 ,  5H006CC05 ,  5H006HA01 ,  5H006HA07 ,  5H007AA06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CB12 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05 ,  5H007HA07 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB08 ,  5H740NN17 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP04 ,  5H740PP06
引用特許：
出願人引用 (3件)

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