特許

J-GLOBAL ID：200903015295011648

記憶装置の初期化方法

発明者： 対馬 朋人 ,  椎本 恒則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003964
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188559
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】情報を記録する際のエラーの発生を抑制することができる、記憶装置の初期化方法を提供する。【解決手段】2つの電極の間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗値が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、この可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有する記憶装置に対して、メモリセルに初めて情報を記録する前に、可変抵抗素子に、抵抗値を低抵抗状態から高抵抗状態に変化させる極性の電圧パルスを印加することにより、初期化を行う。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

2つの電極の間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗値が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、 前記可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有する記憶装置に対して、 前記メモリセルに初めて情報を記録する前に、初期化を行う方法であって、 前記可変抵抗素子に、前記抵抗値を低抵抗状態から高抵抗状態に変化させる極性の電圧パルスを印加する ことを特徴とする記憶装置の初期化方法。

IPC (2件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/10

FI (2件)：

G11C11/15 140 ,  H01L27/10 451

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 抵抗変化材料の初期化方法、抵抗変化材料を用いた記憶素子、可変抵抗体を用いた不揮発性メモリ回路を初期化する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-520488   出願人：松下電器産業株式会社
• 記憶装置の初期化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-182364   出願人：ソニー株式会社
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-062131   出願人：ソニー株式会社