特許
J-GLOBAL ID：200903015308133837
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-143502
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324280
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】結晶構造が互いに異なる二の半導体層を積層した半導体発光素子の場合、自発分極や格子ひずみ起因のピエゾ分極に起因する分極電荷が生じ、キャリア輸送が阻害されてしまう。従来、不純物濃度を高くすることでキャリアの輸送を円滑としていたが、不純物濃度を高くすることは、不純物による光吸収、活性層への不純物拡散等の半導体発光素子の光学特性及び信頼性に関わり、円滑なキャリア輸送と半導体発光素子の光学特性及び信頼性とを両立することは困難であるという課題があった。そこで、本願発明では不純物濃度を高めることなく、前記二の半導体層との間をキャリアが円滑に移動できる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、本願発明は、積層された互いに組成の異なる二の半導体層との間に積層方向に組成が変化するバンドギャップ変化層を配置することとした。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
電子と正孔とが再結合することにより光を発生させる活性層と、
前記活性層に対して極性がp型の側に積層され、組成式AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物の第一半導体層と、
前記第一半導体層の前記活性層の側と反対の側に隣接して積層され、組成式AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表され、積層方向に組成が連続的に単調変化するIII族窒化物系化合物のバンドギャップ変化層と、
前記バンドギャップ変化層の前記第一半導体層の側と反対の側に隣接して積層され、組成式AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物の第二半導体層と、
を備える半導体発光素子であって、
前記活性層に対して極性がp型の側の前記活性層の端から前記バンドギャップ変化層の積層方向の幅の中心に至るまでの積層方向の距離が30(nm)以上200(nm)以下であり、
前記バンドギャップ変化層のバンドギャップは、前記第一半導体層に隣接する側の前記第一半導体層のバンドギャップと略等しいバンドギャップから前記第二半導体層に隣接する側の前記第二半導体層のバンドギャップと略等しいバンドギャップへ連続的に単調変化することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA21
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA60
, 5F041CB06
