特許
J-GLOBAL ID：200903040616226280

窒化ガリウム系化合物半導体装置

発明者：
狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-223322
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068158
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、格子定数や熱膨張率差による歪みが原因とされるクラックや欠陥の発生を防止し、膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を形成できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、n型GaN膜からなるコンタクト層4と、n型AlyGa1-yN膜からなるクラッド層5の間にn型GaN膜とAlyGa1-yN膜の組成をそれぞれ有するクラック防止バッファ層5を介在させた。
請求項（抜粋）：
第1の窒化ガリウム系化合物半導体層と、この第1の窒化ガリウム系化合物半導体層とは組成の異なる第2の窒化物ガリウム系半導体層との間に第1及び第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の組成をそれぞれ有するバッファ層を介在させたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM