特許
J-GLOBAL ID：200903015310602070
低転位を有するウエハの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054159
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263454
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 Siウエハ10上に低転位を有するGaAs層を形成する方法を提供する。【構成】 ウエハ上にGaAs層12を形成し、その後、GaAs層上にこのGaAs層の熱膨張係数より熱膨張係数の小さな絶縁膜14を形成する。この絶縁膜を部分的にエッチング除去して、絶縁膜に穴15を設けてマスク層を形成する。このとき形成された構造体を400°Cから950°Cの温度範囲Dで少なくとも一回の熱サイクル処理を行ってアニールする。その後、半導体層上に少なくとも一層の新たな第二GaAs層16を形成する。
請求項（抜粋）：
Siウエハ上にIII-V族系の半導体層を形成した後、アニール処理を行って低転位を有するウエハを形成するに当たり、(a)前記半導体層上に、該半導体層の熱膨張係数より熱膨張係数の小さな絶縁膜を形成する工程と、(b)前記絶縁膜を部分的にエッチング除去し、該絶縁膜に穴を設けて、マスク層を形成する工程と、(c)前記(b)工程で形成された構造体を400°Cから950°Cの温度範囲で少なくとも一回の熱サイクル処理を行ってアニールする工程と、(d)前記半導体層上に、少なくとも一層の新たなIII-V族系の第二半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする低転位を有するウエハの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 21/316
