特許
J-GLOBAL ID：200903015345242859

電界放出素子

発明者：
冨田 正晴

冨田 正晴 について


出願人/特許権者：
双葉電子工業株式会社

双葉電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323012
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 各エミッタコーンの電子放出特性のバラツキを抑制しつつ、各エミッタコーンから放出されるエミッション電流の均一化を図ること。【解決手段】 エミッタコーン7の直下とされる島状カソード電極2に所定径状のカソードホール11を形成することで、エミッタコーン7と島状カソード電極2との間の抵抗値R1は、抵抗層4の膜厚とカソードホール11の径状とによって決定されるものとなるため、エミッタコーン7と島状カソード電極2との間の抵抗値R1を、従来のエミッタ-カソード間の抵抗値に比べて大きくすることができる。また抵抗値R1はほぼ一定値となるため、各エミッタコーン7の電子放出特性のバラツキを抑制することも可能である。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されるカソード領域と、該カソード領域及び上記絶縁基板の上に形成される抵抗層と、該抵抗層上に形成される絶縁層と、該絶縁層に複数設けられている第1ホール内の上記抵抗層上に形成されるエミッタコーンと、上記絶縁層上に形成されるゲート電極とから構成され、上記エミッタコーンの直下位置とされる上記カソード領域に、所定形状の第2ホールを形成するようにしたことを特徴とする電界放出素子。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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