特許
J-GLOBAL ID：200903015346861110

半導体記憶装置

発明者：
北崎 和宏

北崎 和宏 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130109
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322894
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 読み出したデータの有効性を判断することが可能であり、データの書き込み,消去と同時に読み出しが可能な不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の記憶領域からなり、複数の記憶領域にデータを格納するメモリセルアレイ11,21と、複数の記憶領域のうち、データの消去を行なっている第1記憶領域を識別する識別手段51と、メモリセルアレイ11,21に格納されているデータを読み出す命令が供給されると、そのデータが格納されている第2記憶領域と前記第1記憶領域とを比較する比較手段52と、比較手段52による比較結果を出力する第2出力手段63とを有することにより上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
複数の記憶領域からなり、前記複数の記憶領域にデータを格納するメモリセルアレイと、前記複数の記憶領域のうち、データの消去を行なっている一の記憶領域を識別する識別手段と、前記データの消去を行なっていると識別された一の記憶領域に対応する出力端子に信号を出力する第1出力手段とを有する不揮発性の半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G06F 12/06 525
FI (2件)：
G11C 17/00 601 A ,  G06F 12/06 525 B
Fターム (6件)：
5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE00 ,  5B060AB30 ,  5B060CA12 ,  5B060MM12
引用特許：
審査官引用 (2件)

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