半導体装置、液晶表示装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186953
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015609
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】同一基板上の複数種類、特に耐圧が異なるIGFETのLDD長を均一化することで主電流量のばらつきを減少させ、電気的特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、オフセット電圧のばらつきを減少させることができる液晶ドライバー装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】液晶ドライバー装置(液晶ドライバー用半導体装置)において、差動増幅回路を構築するLDD構造の低耐圧IGFETの低不純物密度領域52、56の長さ(LDD長)が自己整合により均一化される。またLDD構造の高耐圧IGFETの低不純物密度領域61、65の長さ(LDD長)が自己整合により均一化される。LDD長はゲート電極40〜43の側壁に形成されるサイドウォールスペーサマスクで決定される。LDD長の均一化は主電流量のばらつきを減少させ、差動増幅回路においてオフセット電圧のばらつきを減少させることができる。

請求項（抜粋）：

第1のチャネル領域の近傍に前記第1のチャネル領域上の第1のゲート電極に対して自己整合で形成された第1の高不純物密度領域、及び少なくとも前記第1のチャネル領域と第1の高不純物密度領域との間に前記第1のゲート電極に対して自己整合で形成された第1の低不純物密度領域を有する第1の主電極領域を備えた低耐圧用絶縁ゲート型電界効果トランジスタで形成された出力段側のトランジスタと、前記出力段側のトランジスタと同一基板上に形成された第2のチャネル領域の近傍に前記第2のチャネル領域上の第2のゲート電極に対して自己整合で形成された第2の高不純物密度領域、及び少なくとも前記第2のチャネル領域と第2の高不純物密度領域との間に前記第2のゲート電極に対して自己整合で形成され、前記第1の低不純物密度領域よりもチャネル長方向に長い第2の低不純物密度領域を有する第2の主電極領域を備えた高耐圧用絶縁ゲート型電界効果トランジスタで形成された入力段側の差動増幅トランジスタ及びアクティブロードトランジスタとからなる差動増幅回路を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , G02F 1/133 , H03F 3/45

FI (3件)：

H01L 27/08 102 B , G02F 1/133 , H03F 3/45 A

Fターム (49件)：

2H089QA11 , 2H089QA16 , 2H089TA07 , 5F048AA00 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BC19 , 5F048BC20 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BG12 , 5F048BH07 , 5F048DA17 , 5F048DA25 , 5F048DB06 , 5J066AA01 , 5J066AA12 , 5J066CA13 , 5J066FA16 , 5J066HA10 , 5J066HA17 , 5J066HA29 , 5J066KA33 , 5J066KA67 , 5J066MA21 , 5J066ND01 , 5J066ND14 , 5J066ND22 , 5J066ND23 , 5J066PD01 , 5J066QA02 , 5J066SA08

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-283666
特開平3-163868
特開平3-180058

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