特許
J-GLOBAL ID:200903015362616061
マスク及びその形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-092351
公開番号(公開出願番号):特開平9-283409
出願日: 1996年04月15日
公開日(公表日): 1997年10月31日
要約:
【要約】【課題】 曲線等の滑らかな微細パターンを含むパターンを形成でき、かつ強度的に強いX線マスクを提供する。【解決手段】 プローブを自由に移動できるSPMを用いて電界支援酸化を行い、(110)シリコン基板上に曲線等の滑らかな形状を含むシリコン酸化膜の微細なパターンを形成する。その後、結晶異方性エッチングにより、シリコン基板表面に対して垂直にシリコン基板の表面から裏面にかけて窓を形成する。これをX線露光の窓として用いることにより、曲線等の滑らかな微細パターンを含むパターンを形成でき、かつ強度的に強いX線マスクを実現できる。
請求項(抜粋):
(110)面あるいはそれと等価な面を表面に持つシリコン基板に、前記表面に対して垂直で前記シリコン基板の表面から裏面まで達するトレンチ形状を有するマスク。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 1/16
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, H01L 21/306 A
引用特許:
審査官引用 (8件)
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微細加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-049713
出願人:セイコー電子工業株式会社, 服部健雄
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特開平1-309327
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特開昭63-037619
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酸化膜の製造方法と製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-039120
出願人:新技術事業団, 杉村博之
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特開平2-303048
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特開平1-309327
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特開昭63-037619
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特開平2-303048
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