特許

J-GLOBAL ID：200903015387113536

磁気センサデバイス

発明者： 新地 信幸 ,  岡田 章
出願人/特許権者： 甲神電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329973
公開番号（公開出願番号）：特開2008-116429
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】 従来の磁電変換素子を有する磁気センサ、あるいは電流センサの磁界シールド構造は、磁電変換素子とは別の筐体、あるいは筐体の一部として配置され、かつ被測定磁界の発生源も別体となっており、センサの大型化、あるいは微小磁界の検出が困難であるという問題点があった。 また、導電体から成るシールド層が、ホール素子を含む半導体領域の全面を覆う半導体装置は、小型化および誘導ノイズ、外来ノイズ低減に関する効果はあるものの、動的な磁界が印加されたときシールド層に発生する渦電流に起因した磁界が、誤差として磁電変換素子に与えられる影響が考慮されていないため、被測定磁界の高精度な検出が困難になるという問題点があった。【解決手段】 磁電変換素子に加えて、ある開口部を有した電界シールド層、電流路を、絶縁層を介して磁電変換素子近傍に設置し、半導体微細加工技術により一体化して製造したものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁体である設置基台上に配置した、磁界を電気信号に変換する磁電変換素子、上記磁電変換素子を覆うようにして設置した絶縁層、上記磁電変換素子から絶縁層を挟んで所定の距離を介し、開口部を有して設置した、導電性物質から成る電界シールド層を備え、半導体微細加工技術で一体化して製造したことを特徴とする磁気センサデバイス。

IPC (3件)：

G01R 33/02 ,  H01L 43/02 ,  G01R 33/09

FI (3件)：

G01R33/02 A ,  H01L43/02 Z ,  G01R33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AC03 ,  2G017AD54 ,  5F092AA07 ,  5F092AB01 ,  5F092AC05 ,  5F092FA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電流センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-171920   出願人：日置電機株式会社
• ホール素子を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-374629   出願人：サンケン電気株式会社