特許
J-GLOBAL ID:200903071554117465

ホール素子を有する半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高野 則次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-374629
公開番号(公開出願番号):特開2004-207477
出願日: 2002年12月25日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】ホールICにおいて電流検出感度の向上と、耐ノイズ性の向上との両方を達成することが困難であった。【解決手段】半導体基板12にホール素子26aと、このホール素子26aのホール電圧を取り出すためのトランジスタ43、44と、ホール素子26aに制御電流を供給するめのトランジスタ63とを設ける。半導体基板12の一方の主面24上に絶縁層13、14、15を介してシールド層17を設ける。シールド層17をグランドに接続する。シールド層17をホール素子26aのみでなく、トランジスタ43、44、63を覆うように形成する。シールド層17の上に絶縁層16を介して被検出電流通路としての導体層23を設ける。半導体基板12の他方の主面25に金属支持板を固着する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
電気回路の電流を検出する機能を有する半導体装置であって、 一方の主面側にホール素子を構成するための第1の半導体領域及びホール素子以外の半導体能動素子を構成するための第2の半導体領域とを有する半導体基板と、 前記半導体基板の前記一方の主面上に配置された絶縁層と、 平面的に見て前記第1及び第2の半導体領域を覆うように前記絶縁層の上に配置されたシールド層と を備えた半導体装置。
IPC (2件):
H01L43/06 ,  G01R15/20
FI (3件):
H01L43/06 S ,  H01L43/06 ,  G01R15/02 A
Fターム (3件):
2G025AA00 ,  2G025AA07 ,  2G025AB02
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-204972
  • ホール素子を備えた電流検出装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-249472   出願人:サンケン電気株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-087413   出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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