特許
J-GLOBAL ID：200903015391587747

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
盆子原學

盆子原學 について

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上林 和利

上林 和利 について

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橋本 征史

橋本 征史 について


出願人/特許権者：
株式会社ザイキューブ

株式会社ザイキューブ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241675
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041450
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 半導体集積回路チップに基板貫通孔を短時間に効率よく形成する。【解決手段】 チップ表面に拡散層15を形成して配線14と接続させ、貫通孔底部の中心が拡散層15と配線14との接続部分の中心にくるようにし、且つ貫通孔底部径が配線14と拡散層15との接合部分の径と同一かそれよりもやや大きな径になるように径を制御しながら、半導体集積回路チップ裏面13よりドライエッチングを開始して、貫通孔16を形成する。本発明の半導体チップ構造では、ドライエッチングの際に使用するエッチングガスはシリコンを選択的にエッチングするガスだけでよい。従ってエッチング工程の途中でエッチングガスを他の種類のエッチングガスに交換する必要がなく、基板貫通孔を短時間に効率よく形成することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置が上面である第一面と下面である第二面とを有する半導体基板よりなり、 前記第二面より前記半導体基板を貫いて、前記第一面上部に形成した第一電気接続体の底面に接するように形成された、1個もしくはそれ以上の基板貫通孔と、 前記第二面に形成された第一のマイクロバンプと、 前記基板貫通孔内部に、一端が前記第一接続体に電気接続され、他端が前記第一のマイクロバンプに電気接続されるように形成された第二電気接続体と、 よりなる構造を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146
FI (5件)：
H01L21/88 J ,  H04N5/335 V ,  H01L27/14 D ,  H01L21/88 T ,  H01L27/14 A
Fターム (31件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA31 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX25 ,  5C024HX01 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN34 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
  • 3次元画像処理装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160330   出願人：小柳光正, 富士ゼロックス株式会社
  • 半導体集積装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179362   出願人：ローム株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-341479   出願人：松下電器産業株式会社

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