光起電力モジュールの大量製造装置および方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：飯田伸行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160953
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064215
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】基体の急速加熱、CdSの成膜、CdTeの成膜、CdCl2処理およびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、CdTe光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。【解決手段】金属塩をCdTe層上へ昇華することによってp+オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。

請求項（抜粋）：

すべての工程を一定の真空レベルに維持した単一の真空チャンバー内で行なう光起電力セルの半導体層を製造する方法において、光起電力セルを製造する基体を真空チャンバーに用意する工程と、真空チャンバー内で上記基体を所望の温度に加熱する工程と、真空チャンバー内でn形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層を上記基体の表面に積層する工程と、真空チャンバー内で上記のn形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層にp形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層を成膜する工程と、真空チャンバー内で、ハロゲン含有物質を使用して、上記のn形IIB/VIB半導体材料およびp形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層を処理する工程と、そして上記のように処理したp形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層に金属化合物を成膜してから、次に上記のように処理したp形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層をアニーリングすることによって、真空チャンバー内で上記のように処理したp形IIB/VIB半導体材料の一つかそれ以上の層にオーム接点を形成する工程とを有する製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/203 , H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 21/203 Z , H01L 21/365 , H01L 31/04 T

Fターム (33件)：

5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AB23 , 5F045AB24 , 5F045AB27 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045BB10 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DP23 , 5F045DQ15 , 5F045EB02 , 5F045HA06 , 5F051AA09 , 5F051BA14 , 5F051CA22 , 5F051CB24 , 5F051DA03 , 5F051EA16 , 5F051FA02 , 5F051GA03 , 5F103AA01 , 5F103DD18 , 5F103DD21 , 5F103DD22 , 5F103DD23 , 5F103DD24 , 5F103LL20 , 5F103PP03 , 5F103PP18 , 5F103RR02

引用特許：

審査官引用 (2件)

太陽電池の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-088508 出願人：松下電器産業株式会社
太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-260129 出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

「真空一貫プロセスの考え方」

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