特許
J-GLOBAL ID：200903015409918177

不揮発性半導体記憶装置、及び、不揮発性半導体記憶装置の動作方法

発明者：
山田 淳一

山田 淳一 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275848
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087512
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 製造プロセスの変動や動作温度の変化に対するメモリセルの特性の変動に合わせて、センスアンプの最適な活性化タイミングを発生させることが可能な不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、リファレンスセル21と検出回路5とを具備する。リファレンスセル21は、メモリセル11と同じ構造を有する。リファレンスビット線RBLは、リファレンスセル21に接続され、読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加される。検出回路5は、読み出し動作時に、リファレンスビット線RBLの電圧が設定電圧以下になったことを検出して、メモリセル11のセンスアンプ9駆動用の制御信号を出力する。センスアンプ9は、制御信号に応答して、メモリセル11に接続され読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加されたビット線BLの電圧と参照電圧とに基づいて、メモリセルのデータを読み出す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
メモリセルと同じ構造を有するリファレンスセルと、 前記リファレンスセルに接続されたリファレンスビット線の電圧が、設定電圧以下になったことを検出して、前記メモリセルのセンスアンプの駆動用の制御信号を出力する検出回路と を具備する 不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (3件)：
G11C17/00 624 ,  G11C17/00 634E ,  G11C17/00 634B
Fターム (11件)：
5B125BA02 ,  5B125CA01 ,  5B125CA14 ,  5B125CA21 ,  5B125EA01 ,  5B125EE03 ,  5B125EE05 ,  5B125EE09 ,  5B125EJ05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-179840   出願人：シャープ株式会社
  • 米国特許6,128,226号
審査官引用 (2件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-153049   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭61-126684

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