薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小倉亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036896
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100794
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【目的】太陽電池セル形成時に高温加熱されても発生ガス量が少なく、熱安定性,絶縁特性に優れた絶縁皮膜が形成された薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板を提供する。【構成】この薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板は、Si-O結合を主骨格とし、アルキル基,アルケニル基,フェニル基等が側鎖として付加されたシリコーン系樹脂に粒径1μm以下の複合酸化物を10〜60質量%配合したシリコーン系塗料から形成された絶縁皮膜を金属基板表面に設けている。金属基板に塗布されたシリコーン系塗料は、300〜600°C×20〜200秒で焼き付けられる。

請求項（抜粋）：

一般式で表されるSi-O結合を主骨格とするシリコーン系樹脂に粒径1μm以下の複合酸化物顔料が10〜60質量%配合された絶縁皮膜が金属基板の表面に形成されていることを特徴とする薄膜多結晶シリコン太陽電池用絶縁基板。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , C08K 3/22 , C08L 83/04

FI (3件)：

C08K 3/22 , C08L 83/04 , H01L 31/04 H

Fターム (16件)：

4J002CP031 , 4J002DE096 , 4J002DE116 , 4J002FD096 , 4J002GQ01 , 5F051AA03 , 5F051CB13 , 5F051CB15 , 5F051EA09 , 5F051EA10 , 5F051EA11 , 5F051EA16 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA02 , 5F051GA06

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-035655
特開平2-148854
特開平2-180081

全件表示

前のページに戻る