特許
J-GLOBAL ID:200903043375538420

光半導体絶縁被覆保護剤

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 津国 肇 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-026797
公開番号(公開出願番号):特開平11-222555
出願日: 1998年02月09日
公開日(公表日): 1999年08月17日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性および電気絶縁性を有し、光透過性に優れ、封止用樹脂に対する密着性が著しく優れた、光半導体の絶縁被覆保護剤を提供する。【解決手段】 全分子に対して平均0.1〜0.8個のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン混合物、ポリオルガノハイドロジェンシロキサン、白金系触媒および煙霧質シリカを含み、1/4コーンによる針入度が80〜140である光半導体絶縁被覆保護剤。
請求項(抜粋):
(A)一般式:【化1】(式中、R1 はアルケニル基を表し;R2 は脂肪族不飽和結合を含まない置換または非置換の1価の炭化水素基を表し;aは1〜3の整数であり;bは0〜2の整数であり;ただし、a+bは1〜3の整数である)で示されるシロキサン単位を有するアルケニル基含有ポリオルガノシロキサンを含み、残余がケイ素原子に結合した有機基がR2 である直鎖状または分岐状のポリオルガノシロキサンであり、(A)の全分子に対してR1 を平均0.1〜0.8個有し、25°Cにおける粘度が50〜1,000,000cSt であるポリオルガノシロキサン混合物100重量部;(B)一般式:【化2】(式中、R3 は置換または非置換の1価の炭化水素基を表し;cは0〜2の整数であり;dは1〜3の整数であり;ただし、c+dは1〜3の整数である)で示されるシロキサン単位を有し、ケイ素原子に結合した水素原子を分子中に平均2個を越える数有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、(A)成分中のアルケニル基1個に対して、(B)成分中のケイ素原子に結合した水素原子が0.2〜2.0個になる量;(C)白金および白金化合物からなる群より選ばれた触媒の触媒量;および(D)場合によっては表面処理されていてもよい煙霧質シリカ8〜30重量部を含み、硬化して得られるゲル状物のASTM D1403 1/4コーンによる針入度が、80〜140であることを特徴とする光半導体絶縁被覆保護剤。
IPC (6件):
C08L 83/05 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/07 ,  H01L 21/312 ,  H01L 31/09 ,  H01L 33/00
FI (6件):
C08L 83/05 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/07 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 33/00 Z ,  H01L 31/00 A
引用特許:
審査官引用 (10件)
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