プラズマCVD成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269146
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜の膜質及び膜厚が均一になるよう半導体基板上に成膜するプラズマCVD成膜装置を与える。【解決手段】半導体基板上に薄膜を形成するためのプラズマCVD成膜装置が与えられる。当該装置は,真空チャンバ1と,真空チャンバ内に設置されたシャワーヘッド20と,真空チャンバ内にシャワーヘッドと実質的に平行に対向して設置された被処理体を載置するサセプタ3と,から成り,シャワーヘッド及び/またはサセプタの中央部が凹状に窪んだ回転面電極を構成する。

請求項（抜粋）：

被処理体上に薄膜を形成するためのプラズマCVD成膜装置であって,真空チャンバと,前記真空チャンバ内に設置されたシャワーヘッドと,前記真空チャンバ内に,前記シャワーヘッドと実質的に平行に対向して設置された,前記被処理体を載置するサセプタと,から成り,前記シャワーヘッドと前記サセプタとの間隔距離が以下の関係を満足し,fd=|dc - da|/da×100 fd=1%〜100%ここで,fd:前記シャワーヘッドの前記被処理体に対向する面の中心部の変形率,da:前記被処理体の外周位置での,前記シャワーヘッドと前記サセプタ間の平均距離,dc:前記被処理体の中心からdaの距離の点における前記シャワーヘッドと前記サセプタ間の平均距離である,ところの装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , C23C 16/505 , H01L 21/31 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , C23C 16/50 B , H01L 21/31 C , H01L 21/68 K

Fターム (22件)：

4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 5F031DA13 , 5F031HA16 , 5F031MA28 , 5F031NA05 , 5F031PA16 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC17 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-014228
CVD処理用ウエハ収容トレー
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-293553 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-131656 出願人：株式会社日立製作所

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