基板処理装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038219
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235948
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理を含む基板処理時間を短縮し、かつエッチング液の回収が可能で、確実に基板の裏面あるいは基板端部に形成された薄膜を除去できる。【解決手段】表面に薄膜が形成されたウエハWを保持部材3で保持した状態で、スピンベース2をモータ10によって回転させながら、処理液吐出部6から保持部材3に保持されたウエハWの裏面にエッチング液を供給する。このとき、ウエハWの表面に対向する対向面を有し、かつウエハWの表面と所定の間隔離れた回雰囲気遮蔽部材20をモータ12によって回転させると、ウエハWの回転および雰囲気遮蔽部材20の回転によって、エッチング液はウエハWの裏面およびウエハWの表面端部のみに供給され、ウエハWの裏面およびウエハWの表面端部のみにおいてフォトレジスト等による薄膜が除去される。

請求項（抜粋）：

基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、表面に薄膜が形成された基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる第1駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた状態で回転可能な回転部材と、前記回転部材を回転させる第2駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の裏面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/30 569 C , H01L 21/306 J

Fターム (9件)：

5F043CC16 , 5F043DD30 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE27 , 5F043EE35 , 5F043EE40 , 5F046LA02 , 5F046LA06

引用特許：

出願人引用 (6件)

基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-152227 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-278049 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
ワークの処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-213385 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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審査官引用 (7件)

特開平2-207869
基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-152227 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-278049 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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