特許
J-GLOBAL ID:200903015474487426

熱電素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 林 敬之助 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-178990
公開番号(公開出願番号):特開平8-046248
出願日: 1994年07月29日
公開日(公表日): 1996年02月16日
要約:
【要約】【目的】 熱電素子の絶縁基板は熱伝導率が悪いため、放熱効率及び吸熱効率が悪くなる。そこで絶縁基板の熱伝導率を良くし、放熱効率及び吸熱効率が向上する方法を提供する。【構成】 基板に表面が絶縁化されているシリコンを用いる。また、熱電素子の絶縁基板において、絶縁基板を機械的、もしくは化学的エッチングにより溝状に加工することにより表面積を大きくする。【効果】 熱電素子の絶縁基板を機械的、もしくは化学的エッチングにより溝状に加工を施すことにより、絶縁基板の放熱部分及び吸熱部分の表面積が大きくなるため、放熱効率及び吸熱効率が良くなるので、絶縁基板が放熱板及び吸熱板を兼ねることができる。また、別に放熱板を取り付ける場合には、この溝を利用することにより、取付性が良くなるとともに熱接触が良くなるので素子の性能が上がる。
請求項(抜粋):
二枚の基板の間に電極を介して、少なくとも一対のp型及びn型熱電材料が挟まれることにより作られる熱電素子において、これを構成する基板がシリコンであることを特徴とする熱電素子。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • サーモモジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-203254   出願人:日本ブロアー株式会社
  • 半導体基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-048427   出願人:株式会社東芝
  • 特開平4-324232

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