特許
J-GLOBAL ID：200903015478260582
半導体レーザ装置
出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社
松下電子工業株式会社 について
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-001477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211985
出願日： 1994年01月12日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板に発生する不要な光電荷によって信号光の検出や処理が正確に行われないという課題を解決し、入射信号光を正確に、かつ安定して受光または処理することができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 シリコン基板11のエッチングによって設けられた凹部平坦面12に設置されている半導体レーザチップ10と、凹部平坦面12を除くシリコン基板11の両側部上面に設けられたそれぞれ信号光検出回路16または信号処理回路17との間にP-N接合よりなる光電荷遮断領域20を設ける。【効果】 半導体レーザチップから出射される信号検出用のレーザ光以外の光による悪影響から信号光検出回路や信号処理回路を保護することができ、これらの回路を安定して駆動することができる。
請求項（抜粋）：
エッチングにより凹部を形成したシリコン基板のエッチング領域に半導体レーザチップが配置され、前記エッチング領域を除くシリコン基板の上面に信号光検出回路および信号処理回路等が形成された半導体レーザ装置であって、少なくとも前記半導体レーザチップと、前記信号光検出回路または信号処理回路との間隙平面部を含むシリコン基板の上面の一部に、光電荷遮断領域を備える半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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