半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265588
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111921
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】MIM素子を有する半導体素子の配線の信頼性を改善する。【解決手段】シリコン半導体基板1上の素子分離酸化膜2に溝3を設け、MIMキャパシタの上部電極8を溝3部に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に設けられた溝とその周辺を被覆する下部電極と、前記下部電極との間に絶縁膜を挟んで設けられた上部電極とを有し、前記上部電極と下部電極の重なり部が前記溝部に設けられているMIM素子を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 49/02

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 49/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

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