特許
J-GLOBAL ID：200903015502319488

薄膜太陽電池

発明者：
藤掛 伸二

藤掛 伸二 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184930
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009313
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】i層厚さの薄いpin型薄膜太陽電池において、400〜600nmの短波長域でのキャリアの内部量子効率を改善し、変換効率の向上を図る。【解決手段】n層にi層よりもバンドギャップの広い材料を用い、かつi層に、平均不純物濃度が3×1016〜4×1017原子/cm3の範囲となるような燐添加をおこなう。更に、n層とi層との間にi層よりもバンドギャップの広いi/n界面層を挿入することにより、一層の変換効率の向上が実現される。
請求項（抜粋）：
複数の半導体層を積層してなるpin接合型薄膜太陽電池において、アモルファスシリコンを主材料としたpin構造からなり、pin構造のn層のバンドギャップがi層のそれよりも広く、i層中に微量のn型不純物を含有することを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 W
Fターム (6件)：
5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051DA04 ,  5F051DA11 ,  5F051DA15 ,  5F051EA02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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