特許

J-GLOBAL ID：200903015512295625

半導体発光装置

発明者： 石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156327
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 活性層からの発光光の吸収がなく且つ放熱性に優れる半導体発光装置を得られるようにする。【解決手段】 発光ダイオード装置は、発光光に対して透明で且つ比較的高い熱伝導率を有し、主面の面方位が(0001)面であるn型GaNからなる基板11を有している。基板11上には、膜厚が約1μmのn型GaAsからなり、基板11と該基板11上の各半導体層との格子不整合を緩和するバッファ層12と、膜厚が約0.5μmのn型AlGaAsからなり、発光に寄与するキャリアを発光層14に閉じ込める第1クラッド層13と、膜厚が約0.1μmのアンドープのAlGaAsからなり、閉じ込められたキャリアを再結合させて発光光を生成する発光層14と、膜厚が約0.5μmのp型AlGaAsからなり、キャリアを発光層14に閉じ込める第2クラッド層15とが順次形成されている。

請求項（抜粋）：

窒素を含む第1のIII-V族化合物半導体からなる基板と、前記基板の上に形成され、ヒ素又はリンを含む第2のIII-V族化合物半導体からなる活性層とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (21件)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA63 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006368   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085282   出願人：富士写真フイルム株式会社