半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349084
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】誘電率が低く,高い耐熱性,高い耐吸湿性及び高い酸素プラズマ耐性を有する絶縁膜及びその製造方法を与える。【解決手段】半導体基板上に,低い比誘電率,高い耐熱性,耐吸湿性及び高い酸素プラズマ抵抗を有するシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法がプラズマCVD装置に適用される。第1段階は,一般式SiαOα-1(R)2α-β+2(OCnH2n+1)β(式中,α,β,x,yは整数)で表されるシリコン系炭化水素化合物及び気化された化合物をプラズマCVD装置の反応チャンバに導入することである。材料ガスの滞留時間は,例えば,反応ガスの総量を削減することによって延長され,そのようにして低い比誘電率を有する微視多孔構造を有するシリコン重合体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理によって半導体基板上にシリコン重合体絶縁膜を形成するための方法であって,半導体基板が配置されているところのプラズマCVD処理用の反応チャンバ内に材料ガスを導入する工程であって,前記材料ガスは式SiαOα-1(R)2α-β+2(OCnH2n+1)βを有するシリコン系炭化水素化合物から成り,ここで,αは1〜3の整数,βは0,1または2,nは1〜3の整数及びRはSiに結合されたC1-6炭化水素であるところの工程と,半導体基板上に比誘電率を有するシリコン重合体膜を形成するために,材料ガスを含む反応ガスが存在するところの反応チャンバ内でプラズマ重合反応を活性化させる工程と,シリコン重合体膜の比誘電率が所定の値より小さくなるまで,反応チャンバ内の材料ガスの滞留時間を延ばすべく反応ガスの流量を制御する工程と,から成る方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/30 , H01L 21/31 , H01L 21/312

FI (4件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/30 , H01L 21/31 C , H01L 21/312 C

Fターム (33件)：

4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA11 , 4K030LA02 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB39 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF01 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045EE02 , 5F045EE03 , 5F045EE04 , 5F045EH14 , 5F045GB12 , 5F058AA04 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF02 , 5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (2件)

低誘電率の絶縁膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-278460 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-150762 出願人：日本電気株式会社

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