特許
J-GLOBAL ID：200903036623043843
シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150762
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340899
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜として用いるシリカ絶縁膜中にベンゼン核を添加することにより、低誘電率化を達成し、配線遅延を防止する。【解決手段】 プラズマあるいはLPCVD法によるシリカ膜の堆積時に、フェニルトリメチルシランやトルエンなどのベンゼン核を有する有機物質を原料に添加することにより、シリカ膜にベンゼン核を含有させる。ベンゼン核含有量増加とともに比誘電率は低下し、炭素組成30at%でεr=3程度に達する。また、真空中等で加熱処理することで膜中のベンゼン核を除去して空孔とし、さらに低誘電率化することができる。これらのシリカ絶縁膜を層間絶縁膜に適用することにより、多層配線構造を有する半導体装置における配線遅延を低減し、高密度・高速化することが可能となる。
請求項（抜粋）：
シリコン及び酸素を主成分とするシリカ絶縁膜において、膜中にベンゼン核を含有することを特徴とするシリカ絶縁膜。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/316 X
, H01L 21/90 K
