特許

J-GLOBAL ID：200903020489819259

低誘電率の絶縁膜製造方法

発明者： ジン・ウン・バク ,  ヨン・ヒ・リ ,  ドン・スン・キム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278460
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125674
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 金属層間絶縁膜としての使用に適するようにした低誘電率の絶縁膜を提供すること。【解決手段】 本発明は、二重周波数プラズマ反応炉にフッ素と炭素の含有された第1ソースガスと、シリコン酸化膜を含んだ第2ソースガスを供給して、前記反応炉に配置した基板上にフルオルカーボン/シリコン酸化膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

二重周波数プラズマ反応炉に、フッ素と炭素の含有された第1ソースガスと、シリコン酸化膜を含んだ第2ソースガスを供給して、前記反応炉に配置した基板上にフルオロカーボン/シリコン酸化膜を形成させることを特徴とする低誘電率の絶縁膜製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314

FI (5件)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-059798   出願人：東亞合成株式会社
• 半導体基板のサブミクロンのギャップを充填するための方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-015895   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド