半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069759
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270831
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】拡張ドレイン領域をトレンチ内部に形成したトレンチラテラルパワーMOSFETのゲート部と活性部を形成する工程において、ゲート電極とソース電極との短絡を防止する。【解決手段】第一ポリシリコン11の堆積、第二絶縁膜12の堆積、フォトレジスト13の塗布、パターニング、第二絶縁膜12のエツチング後、フォトレジスト13の灰化除去をしてから、第一ポリシリコン11のエッチバックをおこなう。他に、第一ポリシリコン11のエッチバック時に、150nm以上のオーバーエッチングをおこなう方法や、第二絶縁膜12のエッチングをRIEでおこなう方法がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板に掘り下げて形成されたトレンチ内に、絶縁膜を介して第一の多結晶シリコンを形成する工程と、その第一の多結晶シリコンを覆う第二の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の多結晶シリコンを選択的に残すためのマスクを形成する工程と、マスクに覆われない第二の絶縁膜をエッチングする工程と、一部の第一の多結晶シリコンをエッチングする工程と、前記のマスクを除去する工程と、トレンチの底面に接しかつ第一の多結晶シリコンと絶縁される第二の多結晶シリコンを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、マスクに覆われない第二の絶縁膜をエッチングし、マスクを除去した後、第一の多結晶シリコンの一部をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 V

Fターム (25件)：

5F140AA14 , 5F140AB01 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BD18 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF47 , 5F140BG28 , 5F140BG35 , 5F140BG37 , 5F140BH14 , 5F140BH18 , 5F140BH30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ06 , 5F140BJ29 , 5F140BK27 , 5F140BK29 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-356873 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
特開昭59-136931
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-022688 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Naoto Fujishima et al.
Naoto Fujishima et al.

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