透明導電膜形成液及びそれを用いた透明導電膜付基体の製法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：廣田雅紀 , 小澤誠次 , 岡晴子 , ▲高▼津一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-026554
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】デバイス素子の信頼性を向上させることのできる透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成液、及びデバイス素子の信頼性を向上させることのできる透明導電膜付基体を容易に製造可能な透明導電膜付基体の製法を提供する。【解決手段】インジウム化合物(例えば、インジウムトリスアセチルアセトナート)及びスズ化合物(例えば、ジ-n-ブチルスズジアセテート)を含有し、かつ、アルカリ金属の含有量が2質量ppm以下であることを特徴とする透明導電膜形成液、及びそれを用いた透明導電膜付基体の製法である。

請求項（抜粋）：

インジウム化合物及びスズ化合物を含有し、かつ、アルカリ金属の含有量が2質量ppm以下であることを特徴とする透明導電膜形成液。

IPC (4件)：

C03C17/25 , C09D5/24 , C09D201/00 , H01B13/00

FI (4件)：

C03C17/25 A , C09D5/24 , C09D201/00 , H01B13/00 503B

Fターム (17件)：

4G059AA08 , 4G059AC12 , 4G059EA03 , 4G059EB05 , 4J038JA34 , 4J038JC38 , 4J038JC41 , 4J038KA06 , 4J038MA10 , 4J038NA01 , 4J038NA20 , 5G323BA04 , 5G323BB01 , 5G323BB02 , 5G323BB03 , 5G323BB06 , 5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

高抵抗スズドープ酸化インジウム膜付ガラス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-085970 出願人：日本曹達株式会社
特開平2-267812
特開平2-267812

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