特許
J-GLOBAL ID:200903057309361781
透明導電膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-236035
公開番号(公開出願番号):特開2000-067666
出願日: 1998年08月21日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】低抵抗で抵抗安定性に優れる透明導電膜を簡便な方法で得られる透明導電膜形成方法の提供。【解決手段】酸化インジウムと酸化錫とを含む透明導電膜の形成方法において、塗布液を塗布する工程1、非酸化性雰囲気下で300°C以上に加熱する工程2、再度、塗布液を塗布する工程3、再度、300°C以上に加熱する工程4とをこの順で行う透明導電膜形成方法。
請求項(抜粋):
酸化インジウムと酸化錫とを含む透明導電膜の形成方法において、透明基体上に、熱分解で酸化インジウムとなるインジウム化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗布液を塗布する工程1と、非酸化性雰囲気下で300°C以上に加熱して被膜を形成する工程2と、再度、熱分解で酸化インジウムとなるインジウム化合物と、熱分解で酸化錫となる錫化合物とを含む塗布液を塗布する工程3と、再度、300°C以上に加熱する工程4と、をこの順で行うことを特徴とする透明導電膜形成方法。
IPC (2件):
H01B 13/00 503
, C03C 17/27
FI (2件):
H01B 13/00 503 B
, C03C 17/27
Fターム (12件):
4G059AA01
, 4G059AC12
, 4G059EA02
, 4G059EA03
, 4G059EA07
, 4G059EB05
, 5G323BA03
, 5G323BA04
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BB06
, 5G323BC01
引用特許: