特許
J-GLOBAL ID：200903015576343283
MOS型半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120995
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316466
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 MOS型半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜の絶縁破壊、ホットキャリアによる劣化耐性を向上する手段を提供する。【構成】 ゲート絶縁膜3の上にゲート電極4を形成し、このゲート電極4の直下の一部およびサイドウォール8を形成する領域の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン窒化酸化膜6,7を形成し、ゲート電極4の側壁からシリコン窒化膜またはシリコン窒化酸化膜7の上にかけてサイドウォール8を形成する。ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成し、このゲート電極の側壁からゲート絶縁膜の上にかけてサイドウォールを形成し、これをアンモニアガス等による窒化と酸素等による酸化またはN2 Oによる等の窒化酸化物系のガスによる窒化酸化を行って、ゲート電極の直下の一部およびサイドウォールの直下の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン窒化酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極の中央部の下のゲート絶縁膜がシリコン酸化膜からなり、該ゲート電極の周辺部の下のゲート絶縁膜がシリコン窒化膜またはシリコン窒化酸化膜からなることを特徴とするMOS型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
