特許
J-GLOBAL ID：200903078968866308
低抵抗ITO薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089846
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】 1×10-4Ωcm未満の抵抗率を有する低抵抗ITO薄膜とその製造方法等を提供する。【解決手段】 パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板(例えば、YSZ単結晶基板)上に基板温度500〜1000°CにおいてITO膜を形成する。
請求項（抜粋）：
パルス・レーザー・蒸着法を用いて結晶性基板上に基板温度500〜1000°CにおいてITO膜を堆積させることを特徴とする低抵抗ITO膜の製造方法。
IPC (8件)：
C23C 14/28
, C01G 19/00
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C23C 16/40
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 31/04
C23C 14/28
, C01G 19/00 A
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 H
, C23C 16/40
, H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
, H01L 31/04 H
