基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303489
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172205
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理面に対して垂直方向に複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管203と、該反応管203の外周を囲うように設けられる加熱装置206とを備え、前記反応管203の内部で基板を処理する領域における前記反応管203の側面には少なくとも前記加熱装置206の外側まで達するガス導入管230が設けられており、該ガス導入管230には、該ガス導入管230から前記処理室にガスを噴出するガス噴出口212が前記基板処理面に対して垂直方向に少なくとも複数枚の基板に跨るような大きさでスリット状に設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板処理面に対して垂直方向に複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管と、該反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置とを備え、前記反応管の内部で基板を処理する領域における前記反応管の側面には少なくとも前記加熱装置の外側まで達するガス導入管が設けられており、該ガス導入管には、該ガス導入管から前記処理室にガスを噴出するガス噴出口が前記基板処理面に対して垂直方向に少なくとも複数枚の基板に跨るような大きさでスリット状に設けられている基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B , C23C16/455

Fターム (27件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030GA12 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AF01 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB10 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EF03

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-240327 出願人：国際電気株式会社

審査官引用 (4件)

特開昭55-034690
熱処理方法及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-107304 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開昭55-034690

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