特許

J-GLOBAL ID：200903015620972218

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置

発明者： 吉川 将寿 ,  永瀬 俊彦 ,  北川 英二 ,  與田 博明 ,  岸 達也 ,  中山 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-268670
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150265
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】磁化反転電流密度を低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層13と、磁化の方向が固着された磁化参照層11と、磁化記録層13および磁化参照層11間に設けられた非磁性層12とを具備する。磁化記録層13は、非磁性層12に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層15とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層と、 磁化の方向が固着された磁化参照層と、 前記磁化記録層および前記磁化参照層間に設けられた非磁性層と を具備し、 前記磁化記録層は、前記非磁性層に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、前記第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01F 10/32

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01F10/32

Fターム (48件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA25 ,  5E049CB01 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BC46 ,  5F092BE05 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-203260   出願人：ソニー株式会社
• フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-528153   出願人：グランディスインコーポレイテッド