特許
J-GLOBAL ID：200903033386765236

フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ

発明者：
パカラ、マヘンドラ

パカラ、マヘンドラ について

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チェン、ユージーン ユージュン

チェン、ユージーン ユージュン について

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ファイ、イミン

ファイ、イミン について


出願人/特許権者：
グランディス インコーポレイテッド

グランディス インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-528153
公開番号（公開出願番号）：特表2009-514193
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
磁気素子を提供するための方法およびシステムを開示する。この方法およびシステムは、被ピン止め層を提供すること、スペーサ層を提供すること、および自由層を提供することを含む。自由層はフェリ磁性であり、導体フェライト、ガーネット、希土類元素以外のフェリ磁性合金、重希土類遷移金属合金、半金属性フェリ磁性体、および二重層のうちの1つ以上を含む。この二重層は、希土類遷移金属合金層およびスピン電流増加層を含む。この磁気素子は、書込電流が磁気素子を通過するときスピン遷移のために自由層のスイッチングが行われることを可能とするように構成されている。
請求項（抜粋）：
磁気素子であって、 被ピン止め層と、 スペーサ層と、 フェリ磁性であり、かつ、導電性フェライト、ガーネット、希土類以外のフェリ磁性合金、重希土類遷移金属合金、半金属性フェリ磁性体、ならびに、希土類遷移金属合金層および希土類遷移金属合金層とスペーサ層との間に存在するスピン電流増加層を含む二重層のうちの1つ以上を含む自由層と、を備え、 書込電流が磁気素子を通過するときスピン遷移のために自由層のスイッチングが行われることを可能とするように構成されている磁気素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (23件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許出願公開第2005/0040433号明細書
審査官引用 (2件)

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