特許
J-GLOBAL ID：200903015640803560
X線マスクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065573
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264419
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 X線吸収体膜の内部応力が極めて小さく,かつ面内の応力分布が均一で微細加工性に優れているX線吸収膜を有するX線マスクの製造方法を提供すること。【構成】 X線透過膜2a,2bと,タンタル及びホウ素を原子数比(Ta/B)が8.5/1.5〜7.5/2.5となる範囲で含有するX線吸収膜3aとを備えたX線マスクを製造する方法において,基板1aの両面にX線透過膜2a,2bを形成して,X線透過膜2aの上に,スパッタリングガスとしてXeを用いたスパッタリング法によりX線吸収膜3aを形成した後にアニール処理を行う。ここで,X線透過膜2aは,表面粗さが0.2-20nm(Ra:中心線平均粗さ)である。
請求項（抜粋）：
X線透過膜と,タンタル及びホウ素を原子数比(Ta/B)が8.5/1.5〜7.5/2.5となる範囲で含有するX線吸収膜とを備えた,X線マスクを製造する方法において,前記X線吸収膜を形成後にアニール処理を行うことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 1/16
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/08 A
, G03F 1/16 A
