特許
J-GLOBAL ID:200903015640810699
像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-276065
公開番号(公開出願番号):特開平6-124872
出願日: 1992年10月14日
公開日(公表日): 1994年05月06日
要約:
【要約】【目的】 格子線が互いに直交する2種類の格子パターンを結像する際の解像度を上げる。【構成】 開口絞り308の開口31〜34に、開口31、33からの射出する第1光束と開口32、34から射出する第2光束が互いに偏光面が直交する直線偏光光となるよう偏光フィルター101〜104を設け、レチクル304の第1格子パターン上に第1光束を遮光する偏光フィルター162を設け、レチクル304の第2格子パターン上に第2光束を遮光する偏光フィルター163を設け、第1、第2光束によりレチクル304の第1、第2格子パターンを斜め照明する。【効果】 各格子パターンがそれらの像のコントラストを低下させる光束により照明されないので、高コントラストで各格子パターンの像を形成することが可能になる。
請求項(抜粋):
格子線の方向が互いにほぼ直交する第1、第2の格子パターンを該第1格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第1光束と該第2格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第2光束とを用いて照明し、該第1、第2格子パターンの像を形成する方法において、前記第1格子パターンに前記第1光束を遮光して前記第2光束を通過せしめるする光選択手段を設けると共に前記第2格子パターンに前記第2光束を遮光して前記第1光束を通過せしめる光選択手段を設けることにより、前記第1光束により前記第2格子パターンの像を形成し、前記第2光束により前記第1格子パターンの像を形成することを特徴とする像形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
引用特許:
審査官引用 (5件)
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レチクル及びこれを用いた半導体露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-268968
出願人:富士通株式会社
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照明光学装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-219782
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-101148
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特開平1-143216
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特開昭64-067914
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