薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-304912
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160457
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、製造工程を簡単化できるようにすることを目的とする。【構成】ゲートバスライン12と、ドレインバスライン14と、薄膜トランジスタ16及び画素電極18とからなる薄膜トランジスタ基板において、チャンネル保護膜を背面露光によりパターニングすることによって、該薄膜トランジスタ16の半導体膜と同じ半導体膜が該ゲートバスライン上に存在し、該ゲートバスライン上の半導体膜が隣接する2つの薄膜トランジスタ16の間の位置で切断(50)されている構成とする。

請求項（抜粋）：

ゲートバスライン(12)と、該ゲートバスラインと交差して配置されたドレインバスライン(14)と、該ゲートバスラインと該ドレインバスラインとの交差部に配置された薄膜トランジスタ(16)及び画素電極(18)とからなる薄膜トランジスタ基板において、該薄膜トランジスタ(16)の半導体膜(24)と同じ半導体膜が該ゲートバスライン(12)上に存在し、該ゲートバスライン上の半導体膜が隣接する2つの薄膜トランジスタ(16)の間の位置で切断(50)されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 617

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-261423 出願人：株式会社東芝
特開昭63-158875
特開平3-263331

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