特許

J-GLOBAL ID：200903015708131850

フォトマスク、露光装置及び露光方法

発明者： 佐藤 康弘
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (2件)： 柏木 慎史 ,  柏木 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-255196
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073784
出願日： 2004年09月02日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 近接場光を利用した微細パターンの露光転写を容易に行えるようにする。【解決手段】 フォトマスク1は、露光光を透過する材料で形成されて少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体2と、マスク基体2の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターン3とを具備する。マスク基体2の外周面の微細パターン3が形成された円弧形状部分をこの微細パターン3を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン3と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン3の露光転写を良好に行うことができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

露光光を透過する材料で形成され、少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体と、 前記マスク基体の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターンと、 を具備するフォトマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20

FI (5件)：

H01L21/30 502D ,  G03F1/08 G ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 505

Fターム (8件)：

2H095BC04 ,  2H097CA12 ,  2H097GA50 ,  2H097LA10 ,  5F046BA10 ,  5F046CA01 ,  5F046CB17 ,  5F046DA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電子装置の製造方法、パターン形成方法、及びそれに用いるマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128944   出願人：株式会社日立製作所
• 近接場光露光用マスクおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187731   出願人：富士写真フイルム株式会社
• スキャニングプローブ、該スキャニングプローブを用いた装置及び前記装置により製造された半導体デバイス及び微細構造素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-251371   出願人：キヤノン株式会社