電子装置の製造方法、パターン形成方法、及びそれに用いるマスク

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128944
公開番号（公開出願番号）：特開2001-305714
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】位相角制御性の高い位相シフトマスクを用い投影露光時に遮光体面からの反射光等の影響による寸法精度劣化の生じない微細パターン形成方法を提供すること。【解決手段】透明板の平坦な主表面に位相シフトパターンを形成し、この位相シフトパターンの端部をCr等の金属膜よりも反射率の小さい誘電体、高抵抗体、又は有機体の遮光膜パターンで被覆したマスクを用いて、被加工物の表面に形成された感光性膜に対してこのマスクパターンを投影露光して転写する。

請求項（抜粋）：

透明板の平坦な表面上に位相シフタ膜が部分的に形成され、上記位相シフタ膜の端部を覆って非金属からなる遮光膜が部分的に設けられたマスクを通して、電子装置を構成する被加工物の表面に設けられた感光性膜を露光し、上記感光性膜を現像することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 G , G03F 1/08 A , G03F 1/08 J , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Fターム (9件)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB36 , 2H095BC05 , 2H095BC06 , 2H095BC28 , 5F046BA04 , 5F046BA08 , 5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (14件)

位相シフトマスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-250575 出願人：シャープ株式会社
特開平3-208050
フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-179520 出願人：日本電気株式会社

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