可変容量装置および該可変容量装置を有する半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295428
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147420
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】可変容量装置および該可変容量装置を有する半導体集積回路装置を、半導体基板上に形成でき、かつ安定性に優れたものとする。【構成】 N型拡散層14は、不純物濃度が比較的同程度の領域と急激に変化する領域とが交互に繰り返し、表面からの深さxが深くなるほど不純物濃度が大きくなる不純物プロファイルを有する。このような不純物プロファイルは、N型不純物原子をイオン注入法で添加する際に、エネルギーを変えてN型不純物原子を複数回注入することにより形成することができ、また、エピタキシャル成長する際に、成長時に添加するリンなどのN型不純物原子の濃度を変化させることによっても形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された一導電型の第1の領域と該第1の領域上に形成された他の導電型の第2の領域とで構成される接合容量の容量値を印加電圧に応じて変化させる可変容量装置において、前記印加電圧の変化に対して前記容量値の変化量が大きい領域と該容量値の変化量がほぼ一定の領域とが繰り返すように前記第1の領域の不純物濃度を該第1の領域の深さ方向に変化させたことを特徴とする可変容量装置。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特公昭40-012938
特公昭40-012938
特開昭50-161171

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