特許

J-GLOBAL ID：200903015734433058

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294057
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139483
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 ソース線を低抵抗化してソース線の浮きを低減し、ランダムアクセスを高速化でき、かつビット線のピッチを緩和して加工を容易にする。【解決手段】 複数個の不揮発性メモリセルを直列接続したメモリセル部と、メモリセル部を共通信号線と導通させる複数個の選択MOSトランジスタと、から構成されるメモリセルユニットがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有するNAND型EEPROMにおいて、2個のメモリセルユニットを並列接続して複数の並列接続ユニットが構成され、任意の並列接続ユニットの一端側は、ワード線を共有する2個の並列接続ユニット同士でコンタクトを共有して第1の共通信号線に接続され、該並列接続ユニットの他端側は、ワード線を共有し、一端側でコンタクトを共有しない2個の並列接続ユニット同士でコンタクトを共有して第2の共通信号線に接続される。

請求項（抜粋）：

1個又は複数個の不揮発性メモリセルから構成されるメモリセル部と、前記メモリセル部を共通信号線と導通させる1個又は複数個の選択MOSトランジスタと、から構成されるメモリセルユニットがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルユニットの一端側は、ワード線を共有する複数の2n(nは2以上)個のメモリセルユニット同士でコンタクトを共有して第1の共通信号線に接続され、前記メモリセルユニットの他端側は、ワード線を共有し、かつ該メモリセルユニットの一端側とコンタクトを共有しないn個のメモリセルユニットとコンタクトを共有して、かつ該メモリセルユニットの一端側とコンタクトを共有するn個のメモリセルユニット同士でコンタクトを共有して、第2の共通信号線に接続されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 307 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-084497   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198841   出願人：株式会社東芝