特許
J-GLOBAL ID：200903015764808935
不揮発性記憶装置の情報書込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195298
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 選択ワード線に接続された非選択メモリセルの誤書込み(ソフトライト)が減少できるEEPROMの情報書込み方法を提供する。【解決手段】 非選択メモリセルの誤書込みにブート方式を採用するNAND型フラッシュEEPROMの情報書込み方法において、選択ワード線に接続された非選択メモリセルのチャネル領域とソース線側又はデータ線側に隣接する他の非選択メモリセルのチャネル領域との間の一方を電気的に切り離し、選択メモリセルに情報書込み動作を行う。情報書込み動作は、全面一括情報書込み動作(EMOS化)から開始され、データ線側からソース線側に向かってメモリセルに情報が書込まれる(EMOS化)。選択メモリセルへの情報書込みに際し、選択ワード線に接続されたすべてのメモリセル(1ページ分のメモリセル)は一括で情報消去がなされる(DMOS化)。
請求項（抜粋）：
データ線とソース線との間に、それぞれセレクト用トランジスタを介在し、ワード線で動作が制御される複数個直列接続されたメモリセルを備え、情報書込み動作時、選択ワード線に接続された非選択メモリセルのチャネル領域をフローティング状態に維持し、選択ワード線に印加される書込み電圧でチャネル領域の電位がブートし、選択ワード線と非選択メモリセルのチャネル領域の電圧との間の電圧差を減少し、非選択メモリセルの情報書込みを防止するブート方式が採用されるNAND型不揮発性記憶装置の情報書込み方法であって、前記情報書込み動作時に、前記選択ワード線に接続された非選択メモリセルのチャネル領域と、この非選択メモリセルのソース線側、データ線側のいずれか一方に隣接する他の非選択メモリセルのチャネル領域との間を電気的に切り離した状態で、前記選択ワード線に接続された選択メモリセルに情報の書込みを行うことを特徴とする不揮発性記憶装置の情報書込み方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 611 F
, G11C 17/00 622 E
