特許

J-GLOBAL ID：200903015769689942

保護膜の製造方法

発明者： 宮野 淳一 ,  歳川 清彦 ,  本山 理一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  宮崎沖電気株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128195
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】プラズマCVD法によるダメージを素子に与えず、保護膜を低温で製造する。【解決手段】真空紫外光発生部102と、基板116を支持する支持台114が設けられた反応室106と、反応室106と真空紫外光発生部102とを隔てる窓104とを有する真空紫外光CVD装置100を用いて保護膜を製造するにあたり、支持台114に設けられた保温部118によって、基板116の温度を低温に保温しながら、反応室106内に、ガス供給部112から有機系材料ガスを供給するとともに、窓104を介して真空紫外光発生部102から真空紫外光を照射する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空紫外光発生部と、基板を支持する支持台が設けられた反応室と、該反応室と前記真空紫外光発生部とを隔てる窓とを有する真空紫外光CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて保護膜を製造するにあたり、 前記支持台に設けられた保温部によって前記基板の温度を低温に保温しながら、 前記反応室内に、ガス供給部から有機系材料ガスを供給するとともに、前記窓を介して前記真空紫外光発生部から真空紫外光を照射すること を特徴とする保護膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 ,  C23C16/48

FI (2件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/48

Fターム (23件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA08 ,  4K030GA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  5F058BA07 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF05 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF40 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体膜の形成方法及びその形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-150305   出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
• 真空紫外光による酸化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087520   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
• 特開平2-281627