特許
J-GLOBAL ID:200903056668378170
誘電体膜の形成方法及びその形成装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
下出 隆史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-150305
公開番号(公開出願番号):特開平10-107028
出願日: 1997年05月22日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 ギャップ間における間隙の形成を防止し、二酸化珪素の形成に際して実際に使用されるTEOSの割合を増加させ、また二酸化珪素中の炭素不純物を減少させること。【解決手段】 TEOSのような有機金属化合物の堆積を促進させるための方法は、化学的気相成長反応炉内に有機金属化合物、及びオゾン分子を導入するステップと、化学的気相成長反応炉内に存在するオゾン分子から生成される原子状酸素の生成速度を増加させるために化学的気相成長反応炉内に紫外線を照射するステップと、堆積層を形成するため有機金属化合物を分解するステップとを備える。有機金属化合物は、化学的気相成長反応炉内に存在する増加された水酸基ラジカルを1つの要因とし、加速された分解速度で分解される。
請求項(抜粋):
オゾンとともに行われる化学的気相成長反応中における有機金属化合物の分解促進方法であって、前記有機金属化合物及びオゾン分子を化学的気相成長反応炉に導入するステップと、前記化学的気相成長反応炉内に紫外線を照射することによって、前記オゾンから原子状酸素が生成される生成速度を増加させるステップと、堆積層を形成するために前記有機金属化合物を分解するステップと、を備え、前記有機金属化合物の分解は、前記原子状酸素と水分とから生成される水酸基ラジカルによって加速される、有機金属化合物の分解促進方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開平3-082769
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化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-320973
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-188622
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-332961
出願人:川崎製鉄株式会社
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特開平3-190229
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特開平2-050966
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シリコン酸化膜の成膜方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-217038
出願人:日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
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特開平3-198338
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-149013
出願人:株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
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