特許
J-GLOBAL ID：200903015781520813

炭化珪素半導体装置

発明者：
片岡 光浩

片岡 光浩 について

, 
鈴木 孝昌

鈴木 孝昌 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275127
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125620
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素(SiC)基板上の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してNiを用いたオーミック電極を形成する場合の電極はがれを防止する。【解決手段】 半導体素子が形成されたSiC基板20上に、SiO2 からなる絶縁膜21が形成されている。この絶縁膜21にはコンタクトホール21aが形成されており、このコンタクトホール21a内に、SiC基板20に形成された半導体素子とオーミックコンタクトするオーミック電極としてのNi電極22が形成されている。この場合、Ni電極22は、コンタクトホール21a内にのみ形成され、絶縁膜21上には形成されていないので、Ni電極22のはがれを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された炭化珪素基板(20)と、前記炭化珪素基板上に形成されコンタクトホール(21a)を有する絶縁膜(21)と、前記コンタクトホールを介して前記半導体素子とオーミックコンタクトするオーミック電極とを備え、前記オーミック電極はNi電極(22)であって、このNi電極は前記コンタクトホール内に形成され前記絶縁膜上に繋がって形成されていないことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 C
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平4-074865
  • 特開平3-280545
  • 化合物半導体装置における電極配線の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-101007   出願人：株式会社東芝
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