半導体装置の配線構造およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181205
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】局所配線構造のパターニングを容易にし、かつ、十分配線抵抗の低い局所配線構造を有する半導体装置の配線構造およびその製造方法を提供する。【構成】ゲート電極4と、このゲート電極4の近傍に設けられた活性領域2aと、このゲート電極4と活性領域2aとを露出するコンタクトホール13内に、第1埋込層15が形成されている。これにより、コンタクトホール13は、容易に形成でき、また第1埋込層15は十分低い配線抵抗値を有している。

請求項（抜粋）：

第1導電層と、前記第1導電層の近傍に設けられた第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層とを覆い、前記第1導電層の所定の領域と、前記第2導電層の所定の領域とを露出するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホール内に埋込められ、前記第1導電層と前記第2導電層とを電気的に接続する金属埋込層と、を備えた半導体装置の配線構造。

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開平4-237132
コンタクトを含む半導体デバイスとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-226147 出願人：インモスリミテッド
特開昭63-128731

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