特許

J-GLOBAL ID：200903015803819338

高電子移動度トランジスタ

発明者： 孝谷 卓哉 ,  星野 浩一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064341
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極のコンタクト抵抗の低減を図ること。【解決手段】半絶縁性基板11上に、キャリアが走行するチャネル層13、キャリアを供給するキャリア供給層15を有し、かつ素子間分離のためのメサ部21を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極18及びドレイン電極19直下のメサ部に、少なくともチャネル層13まで達する溝22が形成されており、この溝22の内部において直接、チャネル層13にオーミックコンタクトしているソース電極18及びドレイン電極19を設けた。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に、キャリアが走行するチャネル層、キャリアを供給するキャリア供給層を有し、かつ素子間分離のためのメサ部を有する高電子移動度トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極直下のメサ部に、少なくともチャネル層まで達する溝が形成されており、この溝の内部において直接、前記チャネル層にオーミックコンタクトしているソース電極及びドレイン電極を有していることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-022243   出願人：三菱電機株式会社
• ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-255582   出願人：日本電装株式会社