特許

J-GLOBAL ID：200903063493787915

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

発明者： 松ケ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  上野 祥樹
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255582
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111327
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 相互コンダクタンスを高め、高周波・高速作動に適する素子を作成するために、ソース抵抗を効率よく低減できる構造のヘテロ接合型電界効果トランジスタを得る。【構成】 半絶縁性InP基板101上にノンドープIn0.52Al0.48Asバッファ層102、ノンドープIn0.80Ga0.20Asチャネル層103、ノンドープIn0.52Al0.48Asスペーサ層104、n型In0.52Al0.48Asドープ層105、ノンドープIn0.52Al0.48Asゲートコンタクト層106、ノンドープIn0.80Ga0.20As抵抗低減層107、n型In0.53Ga0.47Asキャップ層108を順次形成して形成したヘテロ接合型電界効果トランジスタにおいて、ゲートコンタクト層106とキャップ層108の間にノンドープIn0.80Ga0.20As抵抗低減層107を挿入した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、前記半導体基板よりも大きな電子親和力を有し、多数キャリアを走行させるチャネル層と、前記チャネル層上に形成され、前記チャネル層よりも小さな電子親和力を有して電子を供給する第1電導型で高不純物濃度のドープ層と、前記ドープ層上に形成され、前記ドープ層とほぼ等しい電子親和力を有するゲートコンタクト層と、前記ゲートコンタクト層上に形成され、前記ゲートコンタクト層よりも大きな電子親和力を有する、不純物を添加しない抵抗低減層と、前記抵抗低減層上に形成され、前記抵抗低減層よりも小さな電子親和力を有して多数キャリアを供給する第1電導型で高不純物濃度のキャップ層と、前記ゲートコンタクト層上に形成され、前記ゲートコンタクト層の酸化を防止する第1電導型で高不純物濃度のキャップ層と、前記キャップ層上に形成され、前記キャップ層とオーミック接合する電極と、前記キャップ層とオーミック接合する二つの電極の間に、前記キャップ層側から前記ゲートコンタクト層に達する溝を設け、露出した前記ゲートコンタクト層表面に形成された、前記ゲートコンタクト層とショットキー接合をする電極とを備えることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-191535
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-328654   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-138399   出願人：三菱電機株式会社