特許
J-GLOBAL ID：200903015838439015
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140186
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335335
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 リフトオフ法で形成される導電材料膜の残渣の発生を防止する。【解決手段】 不活性ガス・イオンを用いた逆スパッタリングを行ってレジスト・パターンの表層部を熱膨張させることによりその断面形状をオーバーハング状に変形させる際に、不活性ガス・イオンとしてAr+ よりも質量の大きいKr+,Xe+ 等の不活性ガス・イオンを単独使用するか、またはAr+ と併用する。プラズマ中から入射する重イオンの大きな運動エネルギーが大量の熱エネルギーに変化するので、レジスト変形量が大きくなる。これにより、後工程でスパッタ成膜されるBLM膜を、該パターンの側壁面に付着させることなく変形レジスト・パターン5dの上下で確実に分断することが可能となり、変形レジスト・パターン5dの除去に伴ってBLM膜の不要部を残らず除去することができる。
請求項（抜粋）：
所定の有機膜パターンが形成された基板の全面に、該有機膜パターンにより垂直方向に分断された不連続な導電材料膜をスパッタリング成膜した後、該有機膜パターンをその上に被着された導電材料膜と共に除去することにより該有機膜パターンの非形成部位にのみ選択的に導電材料膜を残す半導体装置の製造方法であって、前記導電材料膜のスパッタリング成膜に先立ち、Arイオンよりも質量の大きい不活性ガス・イオンを含むプラズマを用いて前記有機膜パターンに逆スパッタリングを施すことにより、該有機膜パターンの断面形状をオーバーハング形状に変形させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 P
, H01L 21/92 604 S
